題組內容

一、化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime）， 已知波茲曼常數 k = 1.38 × 10-23 J/K，e = 1.6 × 10-19 C，假設先導物（precursor）濃度 不變，請求出：（每小題 10 分，共 20 分）

⑴反應速率活化能 Ea = 0.5 eV 固定，T = 450 K 之反應速率為 T = 400 K 之幾倍？