申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

一、化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime），已知波茲曼常數 k = 1.38 × 10^-23J/K，e = 1.6 × 10^-19C，假設先導物（precursor）濃度不變，請求出：（每小題 10 分，共 20 分）

⑴反應速率活化能 E_a = 0.5 eV 固定，T = 450 K 之反應速率為 T = 400 K 之幾倍？