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申論題

試卷：104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

申論題資訊

試卷：104年 - 104 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39446
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

申論題內容

四、在 p 通道 MOSFET 製程技術中，利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整 （VT-adjust）及抗擊穿（antipunch-through）佈植，請以 p-MOSFET 元件結構剖面 圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。（15 分）