題組內容

二、閘極介電層製程含三層，材料之厚度分別為 30 nm（Al₂O₃）、20 nm（HfO₂）及 10 nm（ SiO ₂ ），已知其介電常數（ dielectric constant）分別為 9（ Al₂O₃ ）、 25（HfO₂）及 3.9（SiO₂），請求出：（每小題 10 分，共 20 分）

⑵加上偏壓 5 V 於三層材料，各別之壓降 V_Al2O3、V_HfO2 及 V_SiO2 為多少？