四、使用擴散技術（Diffusion technology）將矽（Silicon）晶體摻雜三族元素硼原子（Boron）形成 p 型半導體，若擴散時外加溫度為 1000℃，擴散時間 t 為 1 小時，矽晶體表面的硼濃度 C s 維持在，假設在 1000℃ 時，硼在矽晶體的擴散係數 D 為cm2 /s ， 若擴散方程式為C (x,t) =，在時間 t = 0 時，濃度初值條件（Initial condition）C ( x, t ) = 0，在表面 x = 0 時的濃度邊界條件為 C ( x, t ) = Cs ，在距離表面極遠 處 x = ∞ 時的濃度邊界條件為 C ( x, t ) = 0，試求出：
申論題內容
(三)在表面 x = 0 處的擴散梯度 （各小題均計算至小數點後第二位） （誤差函數公式：） （誤差函數公式：）
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，假設在 1000℃ 時，硼在矽晶體的擴散係數 D 為
cm2 /s ， 若擴散方程式為C (x,t) =
，在時間 t = 0 時，濃度初值條件（Initial condition）C ( x, t ) = 0，在表面 x = 0 時的濃度邊界條件為 C ( x, t ) = Cs ，在距離表面極遠 處 x = ∞ 時的濃度邊界條件為 C ( x, t ) = 0，試求出：
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