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積體電路技術
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113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067
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題組內容
三、試分別說明晶體成長時產生如下的四種晶體缺陷（Crystal defect）：
(三)面缺陷（Area defect）
其他申論題
(一)一個具有介電層的金屬氧化半導體（MOS）元件，面積為 4 μm2 ，介電層厚度為10 nm，使用介電常數 （Dielectric constant）為 25 的五氧化 二鉭 (Ta2O5) 當介電層，當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時，試分別求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。 （10 分） （設真空中介電常數εo為F/cm）
#523583
(二)試設計一個具有10 nH 電感值（L）的方形平面螺旋形積體電感，若電感圈數為 20，則所需的方形平面螺旋半徑應為多少？（10 分） （設真空中介磁常數μo為H/m ） （各小題均計算至小數點後第二位）
#523584
(一)點缺陷（Point defect）
#523585
(二)線缺陷（Line defect）
#523586
(四)體缺陷（3-D defect）
#523588
(一)硼原子在矽晶體的擴散長度 L（Diffusion length）
#523589
(二)每單位面積的硼雜質原子總數
#523590
(三)在表面 x = 0 處的擴散梯度（各小題均計算至小數點後第二位）（誤差函數公式：）（誤差函數公式：）
#523591
(一)這會產生何種效應？（4 分）
#523592
(二)如何解決改善？（6 分）
#523593
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