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積體電路技術
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113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067
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題組內容
三、試分別說明晶體成長時產生如下的四種晶體缺陷（Crystal defect）：
(四)體缺陷（3-D defect）
其他申論題
(二)試設計一個具有10 nH 電感值（L）的方形平面螺旋形積體電感，若電感圈數為 20，則所需的方形平面螺旋半徑應為多少？（10 分） （設真空中介磁常數μo為H/m ） （各小題均計算至小數點後第二位）
#523584
(一)點缺陷（Point defect）
#523585
(二)線缺陷（Line defect）
#523586
(三)面缺陷（Area defect）
#523587
(一)硼原子在矽晶體的擴散長度 L（Diffusion length）
#523589
(二)每單位面積的硼雜質原子總數
#523590
(三)在表面 x = 0 處的擴散梯度（各小題均計算至小數點後第二位）（誤差函數公式：）（誤差函數公式：）
#523591
(一)這會產生何種效應？（4 分）
#523592
(二)如何解決改善？（6 分）
#523593
一、鑄造中鑄件的凝固時間可由 Chvorino 法則（Chvorino’s rule）估算。試利用 Chvorino’s rule 證明具有相同體積的鑄件，立方體鑄件凝固的時間比圓柱形鑄件短，其中圓柱體的高度與直徑相同。（25 分） Chvorino 法則：凝固時間 =C( )n ，其中 C 與 n 為常數。 鑄件表面積本題中假設 n = 2。
#523594
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