申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

二、

⑴對於 PECVD 製程中，使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD（Inter-layer Dielectric）TEOS 製程溫度在 400℃左右或更高的溫度下操作？（5 分）