⑵若雷射光源不變，則在此一曝光機台上可以藉由修正那些參數或採用那些技術來改善解析度？（10 分）

⑵對於一矽晶片，於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm 的多晶矽，而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 1.5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖案化蝕刻以暴露出下方之二氧化矽，但使用之機台的蝕刻速率為 500 nm/min 且蝕刻速率的非均勻性為 5%。如果只允許損失之二氧化矽層厚度為 0.5 nm，請問蝕刻製程中，多晶矽對二氧化矽的蝕刻選擇比值最小是多少？（15 分）