阿摩線上測驗
登入
首頁
>
電子學
>
105年 - 105 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師(選試專業日文及電子學):電子學#55680
> 申論題
申論題
試卷:105年 - 105 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師(選試專業日文及電子學):電子學#55680
科目:電子學
年份:105年
排序:0
申論題資訊
試卷:
105年 - 105 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師(選試專業日文及電子學):電子學#55680
科目:
電子學
年份:
105年
排序:
0
題組內容
三、圖三(a)為一電流鏡偏壓電路,Q
2
、Q
3
為完全匹配之 PMOS 電晶體,其寬長比 (W/L) = 200、臨界電壓 V
tp
= -1 V、μ
p
C
ox
=25 μA/V
2
。
申論題內容
⑴若需要偏壓電流 I
BIAS
= 0.1 mA,計算所需之電阻 R
ref
值為何?(5 分)(為簡化計 算,忽略 PMOS 電晶體之 channel length modulation 效應,即|V
Ap
| 為無窮大。)
詳解 (共 1 筆)
詳解
提供者:t980951
446