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105年 - 105 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#55680
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申論題
試卷：105年 - 105 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#55680
科目：電子學
年份：105年
排序：0
申論題資訊
試卷：
105年 - 105 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#55680
科目：
電子學
年份：
105年
排序：
0
題組內容
三、圖三(a)為一電流鏡偏壓電路，Q
2
、Q
3
為完全匹配之 PMOS 電晶體，其寬長比 (W/L) = 200、臨界電壓 V
tp
= -1 V、μ
p
C
ox
=25 μA/V
2
。
申論題內容
⑵以前述之偏壓電流 I
BIAS
= 0.1 mA 使用於圖三(b)之共源極(CS)放大器。NMOS 電晶體 Q
1
之寬長比(W/L) = 100 μm/1.8 μm、μ
n
C
ox
=90 μA/V
2
、V
An
= 20 V、C
gs1
= 0.2 pF、 C
gd1
= 0.05 pF、輸出負載電容 C
L
= 0.1 pF，Q2之|V
Ap
| = 20 V。為簡化計算，忽略 輸入信號產生器的電阻，各節點之直流位準均視為理想值。計算低頻增益、極點 頻率 f
p
、零點頻率 f
Z
。（15 分）
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