一、⑴通常我們定義半導體中的電子質量為有效電子質量（Effective Electron Mass, m*e），請說明為什麼半導體中的電子質量不同於一般在真空中的電子質量（m0）。（10 分）

五、⑴ 通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）