⑵對於 p 與 n 濃度皆為低度摻雜（Lightly Doped）的 p-n 二極體，當 p-n 二極體工作在很大的逆向偏壓會產生崩潰（Breakdown）現象，此時之電壓稱為崩潰電壓。當它的工作溫度上升時，此 p-n 二極體的崩潰電壓會上升或減少？請說明原因。（10 分）

五、⑴ 通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）