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申論題

試卷：102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：電子元件#44031
科目：電子元件
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：電子元件#44031
科目：電子元件
年份：102年
排序：0

申論題內容

三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）的射極層與歐姆接觸層，以取代傳統的 n 型高摻雜單晶 矽與金屬歐姆接觸層，請說明原因。（10 分）