申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：電子元件#44031
科目：電子元件
年份：102年
排序：0

⑵若以熱氧化法（Thermal Oxidation）在矽晶圓上成長二氧化矽（SiO2）薄膜，已知矽的原子量是 28，矽的密度是 2.33；氧的原子量是 16；二氧化矽的密度是 2.2。請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（10 分）