⑵若以熱氧化法（Thermal Oxidation）在矽晶圓上成長二氧化矽（SiO2）薄膜，已知矽的原子量是 28，矽的密度是 2.33；氧的原子量是 16；二氧化矽的密度是 2.2。請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（10 分）

五、⑴ 通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）