阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體製程
>
96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程:半導體製程#49315
> 申論題
五、請以剖面圖(cross section)敘述在矽晶圓(Si wafer)上製作 CMOS 元件之基本 製程步驟。(20 分)
相關申論題
一、一般光微影(photo-lithography)製程主要包含那些步驟?每個步驟的功能為何? 光微影(photo-lithography)製程實驗室環境有那些重要因素須控制?(20 分)
#173420
二、在矽晶圓(Si wafer)上形成二氧化矽(SiO2)膜之製程方式一般有那些?各製程形成 之二氧化矽(SiO2)膜品質有何不同?各應用在矽半導體元件之何處?(20 分)
#173421
三、二氧化矽(SiO2)膜蝕刻(etching)製程方式一般有那些?其特性與優缺點各為何? (20 分)
#173422
四、金屬化(metalization)製程方式一般有那些?其特性有何不同?各適用在何處? (20 分)
#173423
⑵請說明在什麼情況下需要使用氮化矽(Si3N4)?與二氧化矽(SiO2)相比,氮化 矽(Si3N4)有什麼缺點?(10 分)
#189985
⑴以化學氣相沉積法(CVD)成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4,而以電 漿加強式化學氣相沉積法(PECVD)成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx ,為什麼?(10 分)
#189984
⑵請說明在什麼情況下需要使用射頻(RF)濺鍍方式而不使用直流(DC)濺鍍方 式?(10 分)
#189983
⑴請說明為什麼很少使用電子槍蒸鍍方式來進行合金金屬蒸鍍?(10 分)
#189982
⑶在擴散過程中,一般都會使用預先沉積(Predeposition)與驅入擴散(Drive-in diffusion)兩個步驟來進行擴散,請說明這兩個步驟分別所扮演的功能為何? (10 分)
#189981
⑵通常在離子佈植過程中,我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域;而在擴散過 程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼?(10 分)
#189980
相關試卷
102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體製程#44432
102年 · #44432
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體製程#44824
101年 · #44824
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體製程#52308
99年 · #52308
96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程:半導體製程#49315
96年 · #49315