申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
科目：半導體製程
年份：99年
排序：0

五、

⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO₂及Si₃N₄，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO_x及SiN_x ，為什麼？（10 分）