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研究所、轉學考(插大)-近代物理學
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110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:近代物理#105578
> 申論題
17. (10%) Derive the total cnergy of Einstein special relativity is E
2
= (mc
2
)
2
+ p
2
c
2
相關申論題
(A) (2%) Determine the total moment of inertia I.
#449195
(B) (8%) Determine the energy of a rotating molecule EJ.
#449196
(d) (5 %) If Si substrate is biased under 10 V. Please calculate the △VT.
#450005
(c) (5 %) What is the threshold voltage of this n-MOSFET?
#450004
(b) (5 %) What is the Flat-Band voltage if the trapped charges are considered?
#450003
(a) (5%) What is the Flat-Band voltage of this MOSFET without considering trapped charge effects (i.e. Qss = 0)?
#450002
(c) (6%) Please explain the electron flowing direction (e.g. from metal to Si) upon forming the M-S junction with interface conditions provided from both question (a) and (b).
#450001
(b) (6%) If a high density of surface states pin the Fermi level at 0.4 eV above the valence band maximum in this M-S junction interface. Please sketch its band diagram.
#450000
(a) (6%) Please plot the ideal band diagram of the Al-5i M-S junction and mark the Fermi level EF, the Schottky barrier height , and built-in potential barrier at equilibrium.
#449999
(b) (4%) density of the implanted dopants ND
#449998
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