12. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？
(A)FET內部通道靠近汲極(Drain)端之有效截面積，會比靠近源極(Source)端來得窄
(B)為了維持在飽和區工作，汲極與源極間電壓( VDS)必須小於夾止電壓(VP)或過驅動電壓
(C)無論何種N通道 FET，其閘極與源極間電壓( VGS)皆必須大於零才能產生汲極電流
(D)FET內部靠近汲極端所形成的空乏區寬度，會比靠近源極端的空乏區窄

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#7352709
答案：(A) 逐項分析 (A) 正確。...
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