申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#43082
科目：積體電路技術
年份：103年
排序：0

題組內容

四、在一氧化製程中，已知當氧化層厚度為 0.5 μm 時，氧化速率（oxidation rate， dx_ox/dt）為每小時 0.24 μm，但當氧化層厚度達到 1 μm 時，氧化速率卻變成每小時 0.133 μm，試利用 Grove 模型（Grove model） x_ox²+ A x_ox = B（t + τ）（每小題 10 分，共 20 分）

申論題內容

⑴計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A（linear oxidation constant）和拋物線氧化常數 B（parabolic oxidation constant）各為何？並列出其單位。