阿摩線上測驗
登入
首頁
>
積體電路技術
>
103年 - 103 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#43082
>
題組內容
四、在一氧化製程中,已知當氧化層厚度為 0.5 μm 時,氧化速率(oxidation rate, dx
ox
/dt)為每小時 0.24 μm, 但當氧化層厚度達到 1 μm 時,氧化速率卻變成每小時 0.133 μm,試利用 Grove 模型(Grove model) x
ox
2
+ A x
ox
= B(t + τ) (每小題 10 分,共 20 分)
⑴計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A(linear oxidation constant)和拋物線氧化常 數 B(parabolic oxidation constant)各為何?並列出其單位。
其他申論題
⑶試說明在投影式的光學蝕刻術(projection optical lithography)中,為何最小鑑別 度(minimum resolution)和焦距深度(depth of focus)這兩個需求無法藉由使用 較短波長的光子而同時得到最佳化?
#137626
⑷試說明濕式蝕刻(wet-etch)與乾式蝕刻(dry-etch)之優缺點各為何? (每小題 5 分,共 20 分)
#137627
⑴請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何?並說明各符號的意 義(列式即可,不用推導)。
#137628
⑵設入射硼離子的平均投影範圍(projected range,Rp)為 1.756 μm,而投射游走 (projected straggle,ΔRp)為 0.1364 μm,試計算圖一中接面深度(junction depth) xj1 與 xj2 各為何?
#137629
⑵依據⑴之結果試說明氧化過程的機制為何?
#137631
⑴試繪出此 DRAM 結構的剖面圖(cross-sectional view)。
#137632
⑵欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩(mask)?請按製程流程(process sequence),寫下光罩層的名稱與其目的。 Al electrode for capacitor Al Al Gate Field Oxide n+ n+ Gate oxide p-type Si 圖二
#137633
⑴分別計算:甲公司 X1 年帳列之投資收益為何?甲公司 X2 年 12 月 31 日帳列 「投資乙公司普通股」之餘額為何?X3 年合併綜合損益表中非控制權益 淨利之金額為何?X3 年 12 月 31 日合併資產負債表上之非控制權益之金額為 何?(12 分)
#137634
⑵甲公司 X3 年帳上與投資乙公司相關之所有分錄。(8 分)
#137635
⑴分別計算 X1 年合併綜合損益表上債券推定贖回損益的金額為何?X1 年合併 綜合損益表上利息收入及利息費用的金額為何?X1 年 12 月 31 日合併資產負 債表上應收利息及應付利息的金額為何?(6 分)
#137636