⑵設入射硼離子的平均投影範圍（projected range，Rp）為 1.756 μm，而投射游走 （projected straggle，ΔRp）為 0.1364 μm，試計算圖一中接面深度（junction depth） x_j1 與 x_j2 各為何？

⑵試說明何謂「離子通道效應」（ion channeling effect）及其如何影響接面深度 （junction depth）的製作？

⑶試說明在投影式的光學蝕刻術（projection optical lithography）中，為何最小鑑別 度（minimum resolution）和焦距深度（depth of focus）這兩個需求無法藉由使用 較短波長的光子而同時得到最佳化？

⑷試說明濕式蝕刻（wet-etch）與乾式蝕刻（dry-etch）之優缺點各為何？ （每小題 5 分，共 20 分）

⑴請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何？並說明各符號的意 義（列式即可，不用推導）。

⑴計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A（linear oxidation constant）和拋物線氧化常 數 B（parabolic oxidation constant）各為何？並列出其單位。

⑵依據⑴之結果試說明氧化過程的機制為何？

⑴試繪出此 DRAM 結構的剖面圖（cross-sectional view）。

⑵欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩（mask）？請按製程流程（process sequence），寫下光罩層的名稱與其目的。 Al electrode for capacitor Al Al Gate Field Oxide n＋ n＋ Gate oxide p-type Si 圖二

⑴分別計算：甲公司 X1 年帳列之投資收益為何？甲公司 X2 年 12 月 31 日帳列 「投資乙公司普通股」之餘額為何？X3 年合併綜合損益表中非控制權益 淨利之金額為何？X3 年 12 月 31 日合併資產負債表上之非控制權益之金額為 何？（12 分）

⑵甲公司 X3 年帳上與投資乙公司相關之所有分錄。（8 分）