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積體電路技術
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114年 - 114 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#131604
> 申論題
題組內容
一、請就下列積體電路製造技術之相關問題，分別試述之：
(一)熱載子效應（Hot Carrier Effect）的成因與影響
相關申論題
(二)天線效應（Antenna Effect）的成因與影響
#554242
(三)何謂 CoWoS 技術與其優勢
#554243
(四)何謂熱預算（thermal budget）與其對積體電路製程的影響
#554244
(五)就選擇比（selectivity）與蝕刻輪廓（etch profile）兩面向，比較濕蝕刻 （wet etching）與乾蝕刻（dry etching）的優缺點
#554245
(一) Qm 的來源（5 分）
#554246
(二) Qm 對元件特性或積體電路可靠性的影響（5 分）
#554247
(三)降低 Qm 的方法（5 分）
#554248
(四)如何使用 BTS（bias-temperature stress）測試估算 Qm 的量（10 分）
#554249
(一)在其他製程條件不變下，僅增加氧化時間，使氧化層厚度增加
#554250
(二)在其他製程條件不變下，僅增加 nMOSFET 之 -adjust（臨界電壓調 整）之 p 型離子佈植的濃度
#554251
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