申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#131604
科目：積體電路技術
年份：114年
排序：0

二、於 CMOS 積體電路製作過程，電晶體的閘極介電層中或多或少會存在移動性離子電荷 Qm，請詳述：

(一) Qm 的來源（5 分）

詳解提供者：nomi

移動性離子電荷 (Qm) 是指在半導體元件氧化層內可以移動的離子電荷，主要由鈉或其他鹼金屬離子引起，會在元件工作時移動並偏移電位，造成元件穩定性下降。

移動性離子電荷的來源通常是製造過程中的爐管或摻雜氣體中所帶來的鈉或其他鹼金屬離子污染。
(國立陽明交通大學)