申論題

三、某積體電路包含增強型 nMOSFET 與 pMOSFET 元件。其 nMOSFET 與 pMOSFET 的閘極分別為 poly-Si 與 poly-Si，以及閘極氧化層為使 用乾氧化製程形成的 SiO₂。底下就各子題，請說明與解釋 nMOSFET 與 pMOSFET 元件之臨界電壓（threshold voltage）的變化是往正方向變動、 往負方向變動或不變？

(二)在其他製程條件不變下，僅增加 nMOSFET 之 -adjust（臨界電壓調 整）之 p 型離子佈植的濃度