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三、某積體電路包含增強型 nMOSFET 與 pMOSFET 元件。其 nMOSFET 與 pMOSFET 的閘極分別為
poly-Si 與
poly-Si，以及閘極氧化層為使 用乾氧化製程形成的 SiO2。底下就各子題，請說明與解釋 nMOSFET 與 pMOSFET 元件之臨界電壓（threshold voltage）的變化是往正方向變動、 往負方向變動或不變？
(四)在製造過程中發生硼穿透（boron penetration）至氧化層中