申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

五、

⑵為何在沉積多晶矽薄膜時，所使用之氣體源多為矽甲烷而非矽氯化物？（5 分）