阿摩線上測驗 登入
首頁 > 半導體製程 > 102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432 > 申論題

申論題

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

題組內容

五、

申論題內容

⑶以矽半導體為例，前述三種晶體型式的材 料應個別位於一個基本的 N-MOSFET 元件中的那些位置？請繪示 N-MOSFET 結構 示意圖說明。（10 分）