二、說明何為 body effect？如果使用第一題所述 CMOS 製程的 NMOS 電晶體設計一個 cascode amplifier，是否會有 body effect 的問題？請畫出放大器之電路圖並說明原因。（25 分）

四、假設均使用正光阻製程，欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下，設計所有需要的光罩示意圖（以斜線表示光罩上不透光區域，以空白表示透光區域）。並搭配所設計的光罩，由 p-Si 基底開始，依照製程順序列出所有必要的製程步驟，並加以說明。