申論題

五、設實驗室中僅有下列製程設備： Mask aligner（光罩機） Spinning, baking, and development setups for photoresist and spin-on glass（光阻顯影設備） Wet chemical bench for cleaning and wet etching（濕式蝕刻設備） Oxidation furnace（氧化爐） Annealing furnace（熱處理爐） Al evaporator（鋁蒸著機） 現擬利用上述設備製造圖二所示之 DRAM 結構，該結構為一簡單的鋁閘之 n 通道 MOSFET（Al-gate n-channel MOSFET）聯接著一個電容器。（每小題 10 分，共 20 分）

⑵欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩（mask）？請按製程流程（process sequence），寫下光罩層的名稱與其目的。 Al electrode for capacitor Al Al Gate Field Oxide n＋ n＋ Gate oxide p-type Si 圖二