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申論題資訊

試卷:110年 - 110台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:固態電子元件#104944
科目:研究所、轉學考(插大)◆固態電子元件
年份:110年
排序:0

申論題內容

Diodes and BJT
3.Please qualitatively plot the steady-state depletion region widths and the minority carrier concentration profiles in a pn junction under forward bias, zero bias, and reverse bias. Assume that the p-type doping concentration is larger than that of n-type. (15%)