申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組)：半導體概論#108989
科目：中山◆電機◆半導體概論
年份：107年
排序：0

申論題內容

2. A Si p-n junction has same doping concentration cm' in each side. The peak electric filed in the junction at breakdown is 2 x 10⁵VIcm. Calculate the reverse breakdown voltage of this junction at 300K. (20%)