申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組)：半導體概論#108989
科目：中山◆電機◆半導體概論
年份：107年
排序：0

申論題內容

5. In a metal-Si Schottky barrier contact, the barrier height is 0.85 eV and the effective Richardson constant is 110 A/K²-cm² . Calculate the ratio of the injected hole current to the electron current at 300K. D_p = 12 cm²/s, τ_p = s, and (20%)