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申論題資訊

試卷:107年 - 107 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#108989
科目:中山◆電機◆半導體概論
年份:107年
排序:0

申論題內容

3. Calculate the oxide capacitance, the flatband capacitance, and the high frequency capacitance in inversion of a silicon MOS capacitor with a substrate doping 62c67b2d9d7cf.jpg,a 25 nm thick silicon dioxide and an aluminum gate (ΦM = 4.1 V). (20%)