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申論題資訊

試卷:104年 - 104 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#109066
科目:中山◆電機◆半導體概論
年份:104年
排序:0

申論題內容

3. The measured junction capacitance of a p+-n junction biased at VR = 2 V is 0.15 pF under T = 300 K. The intercept of the 1/C2versus VR curve is -0.735 V. The cross-sectional area is A =62cd321506010.jpg. Calculate the doping concentrations.
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