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申論題資訊

試卷:104年 - 104 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#109066
科目:中山◆電機◆半導體概論
年份:104年
排序:0

申論題內容

4. Consider an n-channel Si MOSFET with N = 62cd326038554.jpg at T= 300 K. The oxide is SiO2 with a thickness of 300 62cd328b80fc0.jpg. The threshold voltage is found to be VT = 0.7 V when an applied source-to-body voltage 62cd32ac35c48.jpg = 2.5 V. What is the threshold voltage at 62cd32ac35c48.jpg= 5 V ? (20%)