申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
科目：半導體製程
年份：99年
排序：0

題組內容

一、

申論題內容

⑵成長薄膜的方式包含沉積（Deposition）與磊晶（Epitaxy），請說明這兩種方式的差異性。（10 分）