阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體製程
>
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
> 申論題
題組內容
一、
⑴請說明矽晶體與砷化鎵晶體成長（Bulk crystal growth）方式的差異性。（10 分）
相關申論題
⑵成長薄膜的方式包含沉積（Deposition）與磊晶（Epitaxy），請說明這兩種方式 的差異性。（10 分）
#189977
二、關於二氧化矽（SiO2）、氮化矽（Si3N4）與鋁（Al），請列出各一種最常用的濕式 蝕刻溶液（Wet etchant）。（10 分）
#189978
⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格 （lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱 處理。請說明使用快速熱處理（Rapid thermal processing）方式優於一般傳統的加 熱爐方式之原因為何？（10 分）
#189979
⑵通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過 程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）
#189980
⑶在擴散過程中，一般都會使用預先沉積（Predeposition）與驅入擴散（Drive-in diffusion）兩個步驟來進行擴散，請說明這兩個步驟分別所扮演的功能為何？ （10 分）
#189981
⑴請說明為什麼很少使用電子槍蒸鍍方式來進行合金金屬蒸鍍？（10 分）
#189982
⑵請說明在什麼情況下需要使用射頻（RF）濺鍍方式而不使用直流（DC）濺鍍方 式？（10 分）
#189983
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電 漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx ，為什麼？（10 分）
#189984
⑵請說明在什麼情況下需要使用氮化矽（Si3N4）？與二氧化矽（SiO2）相比，氮化 矽（Si3N4）有什麼缺點？（10 分）
#189985
五、請以剖面圖（cross section）敘述在矽晶圓（Si wafer）上製作 CMOS 元件之基本 製程步驟。（20 分）
#173424
相關試卷
102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
102年 · #44432
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
101年 · #44824
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
99年 · #52308
96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體製程#49315
96年 · #49315
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入