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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體製程#52308
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申論題
試卷:99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體製程#52308
科目:半導體製程
年份:99年
排序:0
申論題資訊
試卷:
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體製程#52308
科目:
半導體製程
年份:
99年
排序:
0
申論題內容
二、關於二氧化矽(SiO
2
)、氮化矽(Si
3
N
4
)與鋁(Al),請列出各一種最常用的濕式 蝕刻溶液(Wet etchant)。(10 分)
詳解 (共 1 筆)
詳解
提供者:cth800102
HF:專吃氧化物
磷酸:專吃氮化物