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申論題資訊

試卷:99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體製程#52308
科目:半導體製程
年份:99年
排序:0

申論題內容

二、關於二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)與鋁(Al),請列出各一種最常用的濕式 蝕刻溶液(Wet etchant)。(10 分)

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者:cth800102

HF:專吃氧化物

磷酸:專吃氮化物