三、在目前的積體電路製程中，除了使用 p-well 與 n-well 的 twin-well 分別置放 nMOS 與 pMOS 電晶體之外，也常用淺溝槽隔離（shallow trench isolation, STI）來隔離電晶體。請說明淺溝槽隔離的製造流程。（25 分）