申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：112年 - 112 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#116710
科目：積體電路技術
年份：112年
排序：0

三、在目前的積體電路製程中，除了使用 p-well 與 n-well 的 twin-well 分別置放 nMOS 與 pMOS 電晶體之外，也常用淺溝槽隔離（shallow trench isolation, STI）來隔離電晶體。請說明淺溝槽隔離的製造流程。（25 分）