二、在 CMOS 積體電路製程中常用的絕緣體有氮化矽（Si3N4）與二氧化矽（SiO2），請解釋為何不使用純的氮化矽為閘極的絕緣層材料？並請解釋使用二氧化矽為閘極絕緣層材料在新世代積體電路製程中所面臨的瓶頸為何？（25 分）