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申論題

試卷：109年 - 109 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組)：半導體概論#106087
科目：中山◆電機◆半導體概論
年份：109年
排序：0

申論題資訊

試卷：109年 - 109 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組)：半導體概論#106087
科目：中山◆電機◆半導體概論
年份：109年
排序：0

申論題內容

5. Calculate the threshold voltage shift due to short-channel effect. Consider an n-channel MOSFET with 6204b89937700.jpg, channel length L = 1 um, diffused junction depth 6204b8aaf089e.jpg = 0.3 μm, oxide thickness 6204b8ca376a9.jpg, and dielectric constant of oxide is 3.9.