申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

三、矽（Si）基板表面上有 2μm的二氧化矽（SiO₂）要被蝕刻，二氧化矽的蝕刻速率是 0.8μm/min，二氧化矽對矽的蝕刻選擇比（Selectivity）為 25 比 1，如果三分鐘後停止蝕刻，試問會有多少下層的矽被蝕刻掉？（20 分）