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申論題

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

申論題資訊

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

申論題內容

五、⑴金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，如 25 奈米以下，為何其中之 氧化物要使用高介電常數材料（High Dielectric Constant, High-k）？有什麼好處？ 如何選擇高介電常數材料？（12 分）

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者：cth800102

可具有較薄的氧化層