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申論題

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

申論題資訊

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

申論題內容

⑵金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，在後段製程，為何要使用低 介電常數材料（Low Dielectric Constant, Low-k）？有什麼好處？那一種材料介電 常數最小？（8 分）