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半導體製程
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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
> 申論題
四、⑴請說明電漿蝕刻（Plasma Etching）技術之問題點（Problem Issues）。（10 分）
相關申論題
一、⑴請說明矽基板（Wafer）之製作流程中，從晶棒（Ingot）到拋光矽基板（Polished Silicon Wafer）之製造程序（Manufacturing Process）。（10 分）
#149055
⑵請說明矽基板（Wafer）應用上分那幾類。（10 分）
#149056
⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
#149057
⑵請說明使用鋁（Al）或鎢（W）金屬來填 Via hole 或 Contact hole 之方法優缺點。 （10 分）
#149058
三、矽（Si）基板表面上有 2μm的二氧化矽（SiO2）要被蝕刻，二氧化矽的蝕刻速率是 0.8μm/min，二氧化矽對矽的蝕刻選擇比（Selectivity）為 25 比 1，如果三分鐘後停 止蝕刻，試問會有多少下層的矽被蝕刻掉？（20 分）
#149059
⑵請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻（Reactive Ion Etching）結果跟那些製程 參數有關。（10 分）
#149061
五、⑴金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，如 25 奈米以下，為何其中之 氧化物要使用高介電常數材料（High Dielectric Constant, High-k）？有什麼好處？ 如何選擇高介電常數材料？（12 分）
#149062
⑵金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，在後段製程，為何要使用低 介電常數材料（Low Dielectric Constant, Low-k）？有什麼好處？那一種材料介電 常數最小？（8 分）
#149063
⑵請說明在什麼情況下需要使用氮化矽（Si3N4）？與二氧化矽（SiO2）相比，氮化 矽（Si3N4）有什麼缺點？（10 分）
#189985
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電 漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx ，為什麼？（10 分）
#189984
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