題組內容

二、在積體電路後段製程（Backend Process）中：

⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者：cth800102

優點：較高的階梯覆蓋率及流動性可達平坦化