申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
科目：半導體製程
年份：101年
排序：0

二、在積體電路後段製程（Backend Process）中：

⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC₂H₅)₄）來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO₂（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）

詳解提供者：cth800102

優點：較高的階梯覆蓋率及流動性可達平坦化