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半導體製程
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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
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⑵請說明矽基板（Wafer）應用上分那幾類。（10 分）
其他申論題
⑵若以 N 點快速傅立葉轉換（Fast Fourier transform, FFT），在頻率域求濾波器之 輸出信號 y[n]，請列出信號處理程序，並說明 N 值大小與限制條件。（10 分）
#149052
【已刪除】⑴二次有限脈衝響應（finite impulse response, FIR）全零點（all zero）濾波器之系統 函數 。以A2(z)設計二極點（pole）無限脈衝響應（infinite impulse response, IIR）格式濾波器（lattice filter），求出二極點格式濾波器之系統 函數H(z)與逆向（backward）系統函數B2(z)。（10 分） B
#149053
⑵畫出二極點格式濾波器之格式架構圖，並證明其為具備因果關係與穩定特性之濾 波器。（10 分）
#149054
一、⑴請說明矽基板（Wafer）之製作流程中，從晶棒（Ingot）到拋光矽基板（Polished Silicon Wafer）之製造程序（Manufacturing Process）。（10 分）
#149055
⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
#149057
⑵請說明使用鋁（Al）或鎢（W）金屬來填 Via hole 或 Contact hole 之方法優缺點。 （10 分）
#149058
三、矽（Si）基板表面上有 2μm的二氧化矽（SiO2）要被蝕刻，二氧化矽的蝕刻速率是 0.8μm/min，二氧化矽對矽的蝕刻選擇比（Selectivity）為 25 比 1，如果三分鐘後停 止蝕刻，試問會有多少下層的矽被蝕刻掉？（20 分）
#149059
四、⑴請說明電漿蝕刻（Plasma Etching）技術之問題點（Problem Issues）。（10 分）
#149060
⑵請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻（Reactive Ion Etching）結果跟那些製程 參數有關。（10 分）
#149061
五、⑴金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，如 25 奈米以下，為何其中之 氧化物要使用高介電常數材料（High Dielectric Constant, High-k）？有什麼好處？ 如何選擇高介電常數材料？（12 分）
#149062
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