阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體製程
>
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44824
>
⑵請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻（Reactive Ion Etching）結果跟那些製程 參數有關。（10 分）
其他申論題
⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
#149057
⑵請說明使用鋁（Al）或鎢（W）金屬來填 Via hole 或 Contact hole 之方法優缺點。 （10 分）
#149058
三、矽（Si）基板表面上有 2μm的二氧化矽（SiO2）要被蝕刻，二氧化矽的蝕刻速率是 0.8μm/min，二氧化矽對矽的蝕刻選擇比（Selectivity）為 25 比 1，如果三分鐘後停 止蝕刻，試問會有多少下層的矽被蝕刻掉？（20 分）
#149059
四、⑴請說明電漿蝕刻（Plasma Etching）技術之問題點（Problem Issues）。（10 分）
#149060
五、⑴金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，如 25 奈米以下，為何其中之 氧化物要使用高介電常數材料（High Dielectric Constant, High-k）？有什麼好處？ 如何選擇高介電常數材料？（12 分）
#149062
⑵金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，在後段製程，為何要使用低 介電常數材料（Low Dielectric Constant, Low-k）？有什麼好處？那一種材料介電 常數最小？（8 分）
#149063
一、早在 20 世紀 70 年代，歐美的社會科學家們已經預測「後工業社會」（post- industrial society）的來臨。依據他們的看法，所謂的後工業社會是一個怎樣的社會？ 其具有那些不同於工業社會的特徵？試扼要說明並加以評論。（25 分）
#149064
二、貧富差距的現象在各社會中向來普遍受到各界的重視。這種財富及所得不平等的現 象為什麼會存在？它又具有何社會意涵？社會功能論與社會衝突論對此的看法向來 有所差異，甚至是對立的，試扼要說明並比較之。（25 分）
#149065
三、不少中外社會科學家共同發現，民眾對社團的參與呈現下降趨勢，而擔心公民社會 參與的社會資本（social capital）正在減少。請問這裡的社會資本指涉的是什麼？學 者們為什麼擔心它正在減少？（25 分）
#149066
四、娼妓或性工作者應不應該存在這個社會？性交易可以被合法或無罪接受嗎？臺灣的 女性主義運動對這些問題的見解缺乏共識，大致分裂為性別政治與性慾政治兩個對 立論述，前者堅持反娼的立場，後者抱持妓權的主張。試扼要比較這兩種論述的立 論要旨及其理論依據，並提出簡評。（25 分）
#149067
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入