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半導體製程
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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體製程#44824
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題組內容
二、在積體電路後段製程(Backend Process)中:
⑵請說明使用鋁(Al)或鎢(W)金屬來填 Via hole 或 Contact hole 之方法優缺點。 (10 分)
其他申論題
⑵畫出二極點格式濾波器之格式架構圖,並證明其為具備因果關係與穩定特性之濾 波器。(10 分)
#149054
一、⑴請說明矽基板(Wafer)之製作流程中,從晶棒(Ingot)到拋光矽基板(Polished Silicon Wafer)之製造程序(Manufacturing Process)。(10 分)
#149055
⑵請說明矽基板(Wafer)應用上分那幾類。(10 分)
#149056
⑴請說明使用TEOS(Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 )來製作金屬層間氧化絕緣層 SiO2(Inter-Layer Dielectric, ILD),有何優缺點?(10 分)
#149057
三、矽(Si)基板表面上有 2μm的二氧化矽(SiO2)要被蝕刻,二氧化矽的蝕刻速率是 0.8μm/min,二氧化矽對矽的蝕刻選擇比(Selectivity)為 25 比 1,如果三分鐘後停 止蝕刻,試問會有多少下層的矽被蝕刻掉?(20 分)
#149059
四、⑴請說明電漿蝕刻(Plasma Etching)技術之問題點(Problem Issues)。(10 分)
#149060
⑵請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)結果跟那些製程 參數有關。(10 分)
#149061
五、⑴金氧半場效電晶體(MOSFET),當元件越做越小,如 25 奈米以下,為何其中之 氧化物要使用高介電常數材料(High Dielectric Constant, High-k)?有什麼好處? 如何選擇高介電常數材料?(12 分)
#149062
⑵金氧半場效電晶體(MOSFET),當元件越做越小,在後段製程,為何要使用低 介電常數材料(Low Dielectric Constant, Low-k)?有什麼好處?那一種材料介電 常數最小?(8 分)
#149063
一、早在 20 世紀 70 年代,歐美的社會科學家們已經預測「後工業社會」(post- industrial society)的來臨。依據他們的看法,所謂的後工業社會是一個怎樣的社會? 其具有那些不同於工業社會的特徵?試扼要說明並加以評論。(25 分)
#149064